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Solución
SOLUCIÓN
Otros ensayos
Uno: Las pruebas de núcleo común en las estaciones de sondeo giran en torno a entornos multifísicos y a un rendimiento eléctrico de alta frecuencia/especial, con el enfoque clave puesto en simular las condiciones reales de operación del dispositivo y capturar con precisión sus características.
1. Pruebas de alta frecuencia/frecuencia de radio (RF)
El enfoque central es medir el comportamiento eléctrico de los dispositivos semiconductor bajo señales de alta frecuencia, evaluando así sus límites de rendimiento a alta frecuencia. Al establecer conexiones de alta frecuencia mediante sondas de microondas, es posible obtener métricas clave como los parámetros S (características de reflexión/transmisión), la ganancia y la figura de ruido—indicadores críticos utilizados para verificar el rendimiento de chips de RF como amplificadores y filtros.
2. Pruebas de alta y baja temperatura (térmicas)
El enfoque central es simular el comportamiento operacional de dispositivos analógicos bajo condiciones extremas de temperatura, verificando su estabilidad térmica y confiabilidad. La estación de sondas se coloca dentro de una cámara con control de temperatura, lo que permite realizar pruebas eléctricas simultáneas, como mediciones IV y CV, en un amplio rango de temperaturas —desde -196°C (nitrógeno líquido) hasta 300°C y más— para identificar cualquier desviación o falla en el rendimiento relacionada con la temperatura.
3. Pruebas de estrés
La idea central es acelerar el envejecimiento del dispositivo mediante la aplicación de estrés externo, con lo cual se ponen de manifiesto con anticipación posibles riesgos de fiabilidad. Los tipos comunes de estrés incluyen el estrés eléctrico (como el estrés de voltaje/corriente constante, utilizado para probar la vida útil del dispositivo) y el estrés mecánico (como la prueba de presión con sondas, que simula los efectos mecánicos durante el embalaje y el uso real).
1. Pruebas de alta frecuencia/frecuencia de radio (RF)
El enfoque central es medir el comportamiento eléctrico de los dispositivos semiconductor bajo señales de alta frecuencia, evaluando así sus límites de rendimiento a alta frecuencia. Al establecer conexiones de alta frecuencia mediante sondas de microondas, es posible obtener métricas clave como los parámetros S (características de reflexión/transmisión), la ganancia y la figura de ruido—indicadores críticos utilizados para verificar el rendimiento de chips de RF como amplificadores y filtros.
2. Pruebas de alta y baja temperatura (térmicas)
El enfoque central es simular el comportamiento operacional de dispositivos analógicos bajo condiciones extremas de temperatura, verificando su estabilidad térmica y confiabilidad. La estación de sondas se coloca dentro de una cámara con control de temperatura, lo que permite realizar pruebas eléctricas simultáneas, como mediciones IV y CV, en un amplio rango de temperaturas —desde -196°C (nitrógeno líquido) hasta 300°C y más— para identificar cualquier desviación o falla en el rendimiento relacionada con la temperatura.
3. Pruebas de estrés
La idea central es acelerar el envejecimiento del dispositivo mediante la aplicación de estrés externo, con lo cual se ponen de manifiesto con anticipación posibles riesgos de fiabilidad. Los tipos comunes de estrés incluyen el estrés eléctrico (como el estrés de voltaje/corriente constante, utilizado para probar la vida útil del dispositivo) y el estrés mecánico (como la prueba de presión con sondas, que simula los efectos mecánicos durante el embalaje y el uso real).
En el corazón de las pruebas en estaciones de sondas, cuando se combina con medidores de fuente y otros equipos, se encuentra la creación de un circuito cerrado: «excitación precisa — conexión estable — medición exacta». El medidor de fuente proporciona estímulos controlables de voltaje/corriente, mientras que la estación de sonda asegura conexiones eléctricas de alta precisión entre el dispositivo bajo prueba y el instrumento, lo que finalmente permite capturar las características de respuesta eléctrica del dispositivo.
2: Equipo de prueba principal y división de responsabilidades
1. Medidor de fuente: La unidad central «Estímulo + Medición», capaz de suministrar con precisión señales de voltaje/corriente (estímulo) mientras mide simultáneamente los valores correspondientes de corriente/voltaje con alta exactitud (respuesta), permitiendo directamente la realización de pruebas de características IV.
2. Medidor de capacitancia/medidor LCR: Utilizado para la prueba de características CV, emite señales pequeñas de corriente alterna para medir parámetros del dispositivo tales como capacitancia, inductancia y resistencia, lo que permite analizar las propiedades de almacenamiento de carga del dispositivo.
3. Estación de Prueba: La unidad central de «conexión», establece una vía eléctrica estable y de bajo ruido al poner en contacto con precisión las almohadillas de electrodos del dispositivo con puntas de sonda de precisión micrométrica, formando así la base para la prueba de componentes diminutos.
4. Sistema de control de temperatura (opcional): Si se requieren pruebas a temperaturas altas y bajas, la estación de sondas puede integrarse en una cámara con control de temperatura para simular el entorno real de temperatura de operación del dispositivo.